Em publicação na Nano Letters da American Chemical Society, os professores do IF André Saraiva e Belita Koiller  e colaboradores demonstraram como identificar um par de impurezas em silício, em analogia a uma molécula de H2. As particularidades dos elétrons de condução do Si permitem contactar eletricamente e passar uma corrente por uma molécula dessas. O resultado — extremamente diferente da lei de Ohm, permite a identificação de parâmetros dessa molécula artificial, como a separação entre impurezas.

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